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MOSFET N-CHANNEL IRFZ48N N-MOS 55V 64A 140W TO-220
1 × 3,200 DT
IRF1404 MOSFET N-CHANNEL 40V/162A
2 × 2,200 DT
IRF614 MOSFET N-CHANNEL 250V/2.7A
1 × 3,200 DT
IRF1110E MOSFET N-CHANNEL 60V/84A
1 × 4,400 DT
IR2102 MOSFET SIDE DRIVER DIP8
1 × 4,800 DT
IRFB4227 MOSFET N-CHANNEL 65A 250V TO-220
2 × 5,000 DT
IRFB4110PBF MOSFET N-CHANNEL 100V - 180A TO-220
1 × 4,200 DT
IRFP460A MOSFET N-CHANNEL 500V - 20A TO-247
1 × 11,500 DT
VOYANT DE SIGNALISATION E14 ORANGE E14-15W-250V 1580.O
3 × 17,000 DT
IR2108 MOSFET SIDE DRIVER DIP8
2 × 3,600 DT
MOSFET N-CHANNEL IRFZ34N 55V 29A 88W TO-220
1 × 2,400 DT
IRF3205 MOSFET N-CHANNEL 55V-110A
1 × 3,500 DT
VOYANT DE SIGNALISATION E14 VERT E14-15W-250V 1580.V
1 × 17,000 DT
MOSFET N-CHANNEL IRFBC30 600V 3.6A TO-220
1 × 2,000 DT
IRF9530N MOSFET N-CHANNEL 100V-14A- 79W TO-220AB
1 × 1,600 DT
IRFP360 MOSFET N-CHANNEL 400V - 23A TO-247
1 × 11,200 DT
IRF1405 MOSFET N-CHANNEL 55V/169A
1 × 2,400 DT
RELAIS ORIGINAL F FUJITSU 8P-5A F1CA024V BOBINE 24VDC
1 × 9,000 DT Sous-total : 153,000 DT
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Filament PLA+ eSUNLe filament PLA+ eSUN est une modification du matériau PLA de base, facile à imprimer. De plus, le PLA+ améliore la robustesse et l’adhérence des couches.
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