Caractéristiques principales
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Tension collecteur–émetteur (VCES) : 600 V
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Courant collecteur continu (IC) : 30 A
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Courant de pointe (ICP, 1 ms) : jusqu’à 200 A
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Puissance dissipable (PC) : 170 W (à Tc = 25 °C)
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Tension de saturation (VCE(sat)) : typique 2,4 V à IC = 30 A
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Temps de montée (tr) : ≈ 70 ns, temps de chute (tf) : ≈ 50 ns — adaptés à des fréquences jusqu’à 50 kHz
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Pertes de commutation : Eon ≈ 1 mJ, Eoff ≈ 0,8 mJ
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Température de jonction max (Tj) : 150 °C
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Boîtier : TO‑220SIS, montage traversant, facile à souder & dissiper 5
⚙️ Applications recommandées
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Onduleurs et alimentations à découpage à haute fréquence (jusqu’à 50 kHz)
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Contrôle de moteurs puissants (VFD, variateurs)
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Alimentation sans interruption (UPS), onduleurs photovoltaïques
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Ballasts électroniques, drivers LED, circuits de commutation haute tension
✅ Avantages
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Hautes performances : faible VCE(sat), commutation rapide et pertes réduites — idéal pour applications exigeantes
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Encapsulé TO‑220SIS : bon compromis entre facilité d’utilisation et dissipation thermique efficace
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Robuste : courant de pointe élevé (200 A), Tj max 150 °C pour une fiabilité accrue
Modèle | V<sub>CES</sub> (V) | I<sub>C</sub> continu (A) | I<sub>C, pulsé</sub> (A) | P<sub>C</sub> (W) | V<sub>CE(sat)</sub> typ (V) | tr (ns) | tf (ns) | Boîtier | Applications typiques |
GT30J121 | 600 | 30 | 60 | 170 | 2 | — | 50 000 | TO‑3P(N) | Commutation rapide jusqu’à 50 kHz toshiba.semicon-storage.com+15mouser.com+15 alltransistors.com+
15alltransistors.com +5toshiba.semicon-storage.com+5toshiba.semicon-storage.com+5 |
GT30J122 | 600 | 30 | 60 | 75 | 2,1 | — | 250 000 | TO‑3P(N) | Onduleurs résonants, PFC |
GT30J124 | 600 | 30 | — | 170 | ~2,4 | — | ~50 000 | TO‑220SIS | Commutation générale haute fréquence |
GT30J126 | 600 | 30 | — | 170 | ~2,0 | — | ~50 000 | TO‑3P(N) | Faible perte, high‑speed |
GT30J127 | 600 | 30 | 60 | 25 | 2,6 | 50 | 270 | TO‑220F | Haute fréquence, commande moteur, plasma |
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