Le transistor MOSFET canal N FDPF33N25T d’onsemi est un composant de puissance haute performance conçu pour des applications de commutation à haute tension, caractérisé par une tension de blocage de 250V et un courant continu de 33A dans un boîtier TO-220F entièrement isolé.
Spécifications techniques
Ce MOSFET utilise la technologie propriétaire UniFET™ (FRFET®), qui est une technologie planaire optimisée pour minimiser la résistance à l’état passant et améliorer les performances de commutation.
- Tension Drain-Source (VDSS):250 V
- Courant de Drain continu (ID):33 A (à T case = 25 °C)
- Résistance Drain-Source à l’état passant (RDS(ON)):Typiquement 0.077 Ω (max 0.094 Ω) à VGS = 10 V, ID = 16.5 A
- Charge de grille totale (Qg):Typiquement 36.8 nC
- Boîtier:TO-220F (Full Pack, isolé)
- Dissipation de Puissance (PD):37 W (en boîtier TO-220F à T case = 25 °C)

















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