Le transistor MOSFET canal N FDPF20N50FT d’onsemi est un composant de puissance robuste conçu pour des applications de commutation à haute tension, offrant une tension de blocage de 500V et un courant continu de 20A dans un boîtier TO-220F entièrement isolé.
Spécifications techniques
Ce MOSFET de la famille UniFET™ (FRFET®) est optimisé pour les applications d’alimentation à découpage, les ballasts électroniques et la correction du facteur de puissance, grâce à sa faible résistance à l’état passant et sa diode de corps à récupération rapide.
- Tension Drain-Source (VDSS):500 V
- Courant de Drain continu (ID):20 A (à T case = 25 °C)
- Résistance Drain-Source à l’état passant (RDS(ON)):Typiquement 0.20 Ω (max 0.26 Ω) à VGS = 10 V, ID = 10 A
- Dissipation de Puissance (PD):5 W (en boîtier TO-220F à T case = 25 °C)
- Boîtier:TO-220F (Full Pack, isolé)
Avis et avantages
Le FDPF20N50FT est très apprécié pour sa fiabilité et ses performances, notamment dans les environnements exigeants.
- Les ingénieurs et experts soulignent sa faible charge de grille(typ. 45.6 nC) et sa faible capacité de transfert inverse (Crss), ce qui permet des performances de commutation supérieures et efficaces.
- Il est testé à 100% contre les avalanches, garantissant une robustesseaccrue et une meilleure capacité à résister aux impulsions d’énergie élevées.
- Son boîtier isolé simplifie le montage sur dissipateur thermique, réduisant les coûts et la complexité de l’assemblage.
















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